国产三代半新突破,中科院成功制备8英寸碳化硅晶体
近期,中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺,改善晶体结晶质量,成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶体,并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片,实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。
中科院方面表示,该成果转化后,将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力。
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